Reflection High-Energy Electron Diffraction (RHEED) è diventato ampiamente noto come un metodo essenziale per l'osservazione in tempo reale della crescita dei cristalli. RHEED può essere utilizzato per analizzare le superfici del film in modalità statica per i materiali esistenti o dinamicamente man mano che la crescita del film evolve. Questo rende RHEED uno strumento eccezionalmente prezioso per l'indagine di strutture in Epitaxy Molecular Beam (MBE).

In generale, RHEED è un metodo per investire la struttura delle superfici cristalline. Un fascio di elettroni ad alta energia (10-30KeV) è diretto alla superficie del campione ad un angolo di incidente basso (1-2°). Gli elettroni sono diffrattati dalla struttura cristallina del campione in esame e poi proiettati su uno schermo fluorescente montato di fronte alla pistola elettronica. Il modello caratteristico degli elettroni che interferiscono è una serie di striature. La distanza tra le strisce è un'indicazione della dimensione della cella reticolare superficiale.

RHEED系统可实实监৷表面结构,

• 结晶学(Cristallografia)
• 超导376;(Superconduttori)
• Epitassia molecolare del fascio (MBE)
• Deposizione chimica di vapore
• 激脉冲沉积(PLD),奲子化学气相沉积(MOCVD)
• 冶Ÿ(Metallurgia)
• 薄膜制备 (deposizione di film sottile)
• 涂层(Rivestimenti)

Pistola elettronica 30KeV:
Dimensione del punto del fascio: 90micro metro dia. Massimo
Filamento: 0,1 mm di diametro. Filo di tungsteno (a forma di forcina)
Wehnelt: Self Bias
Obiettivo di messa a fuoco: Air Core Solenoid Coil Lens
Lente di deviazione: lente a spirale Troidale
Meccanismo di allineamento assiale: allineamento per filamento e Wehnelt
Tensione di isolamento: DC30KV
Pressione di esercizio: <10-4Pa a 10-9Pa
Temperatura massima di cottura: 200 gradi C
Flangia di montaggio: ICF70
Dimensioni: 100mm di diametro. x 401mm di lunghezza
(lunghezza 501mm con connettore inserito)

FORNITURA DI ALIMENTAZIONE E-GUN 30KeV:
Tensione di accelerazione: da 0 a -30KeV Alimentazione di tensione costante
(Ripple 0,03% massimo)
Corrente del fascio: da 0 a 160 micro ampere
Tensione del filamento: alimentazione di tensione costante da 0 a 5V
(Ripple 0,05% massimo)
Corrente del filamento: max. 2A
Alimentazione della lente di deviazione: 1A fonte di corrente costante (più o minusV)
(Ripple 0,05% massimo)
Alimentazione dell'obiettivo di messa a fuoco: da 0 a 1.5A fonte di corrente costante (da 0 a 22V)
(Ripple 0,05% massimo)
Potenza di ingresso: 200V, 220V, 230V, 240V
Dimensioni: 480mm x 199mm x 500mm (cavo +100mm)
Caratteristica di sicurezza: Interblocco ad alta tensione
Altri: RoHS-ready

1. 电子枪部分
RHEED 电子枪是专门为进行衍射研究所设计的电子光学系统，其能量范围从10到30 KeV. 通过结合静电和磁部件，保证了电子枪具有高亮度、小斑点、低分散和极低放气率的特征。 电子枪可以完全安装在腔体外面，可以原位保养，可以烘烤。 如果配备了差分抽气系统，还可以在高压环境下使用。

2. 控制电源部分
设计紧凑的提供30KeV能量的电子枪电源控制器。 电子枪的设置参数，如能量、灯丝电流、束流强度等都可以数字形式在显示器上显示，而且可以通过一个简洁的控制面板远程控制调节束流强度、聚焦位置等。 系统具有自我诊断能力，可以快速地对RHEED系统进行检查。

3．电子束光阑
通过电子束光阑可以控制束流的开关，这样可以保证样品上极低的电子负荷。 光阑开关信号也可同时被外部信号触发，这样就使得RHEED可以在有干扰磁场下使用，并可以用来研究旋转样品。

4. 电子束摇摆
为了做RHEED分析，电子束必须以掠角方式入射样品。 独特的电子束摇摆特征，允许精确调节和变化电子束入射角度，而不用移动样品。 这个特征在对固定位置的样品进行分析测试时是非常有用的

5．差分抽气系统
通常的电子枪是为在如10-4 torr 这样较高压力条件下工作设计的，但是这样必然导致灯丝寿命的缩短。 带有差分抽气系统选项的RHEED系统， 保证了可以在高压和有反应气体存在的环境下进行日常的操作。

6. 计算机控制
RHEED系统可以完全由计算机来控制。 电子枪控制部分包括一个界面模块和一个软件包，这保证了RHEED的使用灵活性，和可重复性。 用户自己设定的参数可以被保存并调入，通过电子束光阑可以控制电子束的开关，使用电子束摇摆特征可以调节电子束入射角度。

7. 荧光屏
提供各种尺寸的荧光屏，具有高的空间分辨率和对比度。 荧光屏上的镀铝保护涂层确保荧光屏良好的电接触特性，并可以屏蔽掉从真空腔来的一些游离光线，从而提高RHEED图像的对比度。

8．数据采集和分析系统
Visione RHEED 是一套可以同现存的各种RHEED系统配套使用的数据采集软件， 它可以同时进行图像处理和实时数据分析。 并且有很多可选的数据缩减程序。 另外还提供其它的硬件控制模块，如锁相外延生长，快门控制，激光脉冲触发器等。